SCT012H90G3AG

SCT012H90G3AG

رقم القطعة
SCT012H90G3AG
فئات المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
STMicroelectronics
يصف
H2PAK-7
تغليف
-
طَرد
الشريط والبكرة (TR)
حالة بنفايات
Yes
سعر
USD $15.0300
ورقة البيانات
-
كمية
طلب عرض الأسعار
في الأوراق المالية:
الأصغر : 1000
عديد : 1
كمية
سعر الوحدة
سعر
1000
$15.0300
$15,030.0000
نموذج بديل
SCT012H90G3AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
نموذج مماثل
SCT012H90G3AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
الشراء والاستفسار
تخصيص
النقل
ورقة البيانات
يكتبوصف
MFRSTMicroelectronics
مسلسل-
طَردالشريط والبكرة (TR)
حالة المنتجACTIVE
الحزمة / القضيةTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
نوع التركيبSurface Mount
درجة حرارة التشغيل-55°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجياSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
نوع فيتN-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs15.8mOhm @ 60A, 18V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)625W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف4.2V @ 10mA
حزمة جهاز الموردH2PAK-7
درجةAutomotive
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)15V, 18V
في جي إس (الحد الأقصى)+18V, -5V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)900 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs138 nC @ 18 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds3880 pF @ 600 V
مؤهلAEC-Q101

رسوم الشحن


يبدأ الشحن بسعر 40 دولارًا، ولكن يمكن أن يزيد عن 40 دولارًا في بعض البلدان. على سبيل المثال (جنوب أفريقيا، البرازيل، الهند، باكستان، إسرائيل، إلخ.)
تعتمد رسوم الشحن الأساسية (الحزمة ≥0.5 كجم أو الحجم المقابل) على المنطقة الزمنية والبلد.


طريقة البريد


حاليًا، يتم شحن منتجاتنا عبر DHL وFedEx وSF وUPS.


موعد التسليم


بمجرد شحن البضائع، يعتمد وقت التسليم المقدر على طريقة الشحن التي تختارها:

فيديكس الدولية، 5-7 أيام عمل.

فيما يلي الأوقات اللوجستية لبعض البلدان المشتركة.

transport

SCT012H90G3AG معلومات ذات صله
أجزاء البيع الساخنة
فئات ذات صلة